DESCRIPCIÓN.

Este documento describe el 512M x 64-bit (4GB) de ValueRAM
DDR3-1333 CL9 SDRAM (DRAM síncrona), memoria 1Rx8
módulo, basado en ocho componentes FBGA DDR3-1333 de 512 M x 8 bits. El SPD está programado para la latencia estándar JEDEC
Tiempo DDR3-1333 de 9-9-9 a 1.5V. Este DIMM de 240 pines utiliza
dedos de contacto de oro. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:

CARACTERISTICAS

• Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)
• VDDQ = 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)
• 667MHz fCK para 1333Mb / seg / pin
• 8 bancos internos independientes
• Latencia CAS programable: 9, 8, 7, 6
• Latencia aditiva programable: reloj 0, CL - 2 o CL - 1
• Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 7 (DDR3-1333)
• Precarga de 8 bits
• Longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin ningún límite, secuencial con
dirección de inicio "000" solamente), 4 con tCCD = 4 que no
Permitir la lectura o escritura sin problemas [sobre la marcha con A12 o
SEÑORA]
• Estroboscopio de datos diferenciales bidireccionales
• Autocalibración interna: autocalibración interna a través de ZQ
pin (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
• En la terminación del troquel usando el pin ODT
• Período de actualización promedio 7.8us por debajo de TCASE 85 ° C,
3.9us a 85 ° C <TCASE <95 ° C
• Reinicio asincrónico
• PCB: altura 0,740 "(18,75 mm) o 1,180" (30,00 mm)
Documento N. ° VALUERAM1241-001.C00 26/03/15 Página 1
Especificaciones del módulo de memoria
* La potencia variará según la SDRAM utilizada.

ESPECIFICACIONES

CL (IDD) 9 ciclos
Tiempo de ciclo de fila (tRCmin) 49.125ns (min.)
Actualizar a Activo / Actualizar 260ns (min.)
Tiempo de comando (tRFCmin)
Tiempo activo de fila (tRASmin) 36ns (min.)
Potencia operativa máxima TBD W *
Clasificación UL 94 V - 0
Temperatura de funcionamiento 0o
 C hasta 85o
 C
Temperatura de almacenamiento -55o C a + 100o
 C
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Información importante: El módulo definido en esta hoja de datos es una de varias configuraciones disponibles en
este número de parte. Si bien todas las configuraciones son compatibles, la combinación de DRAM